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1、为什么使用碳化硅 碳化硅（SiC）是第三代半导体，相较于前两代半导体（一代硅，二代砷化钾），碳化硅在使用极限性能上优于硅衬底，可以满足高温、高压、高频、大功率等条件下的应用需求。 因此碳化硅材料制备的功率器件可以广泛应用于新能源汽车、光伏、储能、5G通信等领域。 2、碳化硅的性能优势 耐高压：碳化硅击穿场强是硅的10倍，这意味着同样电压等级的碳化硅 MOSFET晶圆的外延层厚度只需要硅的十分之一，对应的漂移区阻抗大大降低，功率大幅提升，且禁带宽度是硅的3倍，导电能力更强。 耐高温：碳化硅熔点非常高，是硅的2倍，热导率是硅的2~3倍，在散热方面性能更好。 耐高频：碳化硅电子饱和漂移速度是硅的2-3倍，碳化硅器件在关断过程中不存在电流拖尾现象，开关损耗只有硅的1%，能有效提高元件的开关速度( 大约是硅的3-10倍)，适用于更高频率、更快的开关速度和更高的功率密度。